Descrizione

TRANSISTOR NPN PER RADIOFREQUENZE 2N5109

Specifiche tecniche

• Polarità: NPN

• Tensione collettore-emettitore (Vce max): 20 V

• Frequenza di transizione (fT): 1.2 GHz

• Corrente al collettore (Ic max): 400 mA

• Potenza dissipata (Ptot): 1 W

• Montaggio: foro passante

• Contenitore: TO-39

• Tipo contenitore: metallico

• Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39

• Alta dinamica +32dBm IP3, fino a +40dBm in quaterna con bassa figura di rumore 3dB, mixer con IP3 fino a +40dBm.

• CLASSE A:

• Frequency Bands: I, II, III

• Class A output level: 54dBmV, IC 50mA

• Cross Modulation: >50dB

• Marchio: Central Semiconductor Corp

• Datasheet in allegato nella sezione "Supporto tecnico"