Descrizione

TRANSISTOR NPN 2N3904

Specifiche tecniche

• Produttore: ON Semiconductor 

• Categoria prodotto: Transistor bipolari - BJT 

• Stile di montaggio: Through Hole 

• Package/involucro: TO-92-3 

• Polarità transistor: NPN 

• Configurazione: Single 

• Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 40 V 

• Tensione base-collettore VCBO: 60 V 

• Tensione emettitore-base VEBO: 6 V 

• Tensione di saturazione collettore-emettitore: 0.3 V 

• Corrente CC massima collettore: 0.2 A 

• Pd - Potenza dissipata: 625 mW 

• Prodotto guadagno-larghezza di banda fT: 270 MHz 

• Temperatura di lavoro minima: - 65 C 

• Temperatura di lavoro massima: + 150 C  

• Altezza: 5.33 mm 

• Lunghezza: 5.2 mm  

• Larghezza: 4.19 mm 

• Marchio: ON Semiconductor 

• Corrente continua collettore: 0.2 A 

• Collettore DC/Guadagno base hfe Min: 60

• Datasheet in allegato nella sezione "Supporto tencico"