Descrizione

MOSFET S.M.T. A CANALE P DI POTENZA

Specifiche tecniche
• Stile di montaggio: SMD/SMT
• Package/involucro: TO-252-3
• Polarità transistor: P-Channel
• Vds - Tensione di rottura drain-source: 60 V
• Id - corrente di drain continua: 5.1 A
• Rds On - Drain-source sulla resistenza: 500 mOhms
• Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 2 V
• Vgs - Tensione gate-source: 10 V
• Qg - Carica del gate: 12 nC
• Temperatura di lavoro minima: - 55 C
• Temperatura di lavoro massima: + 150 C
• Pd - Dissipazione di potenza: 25 W
• Confezione 5 pezzi