Descrizione

TRANSISTOR NPN BD711

Specifiche tecniche

• Produttore: STMicroelectronics 

• Categoria prodotto: Transistor bipolari - BJT  

• Stile di montaggio: Through Hole 

• Package/involucro: TO-220-3 

• Polarità transistor: NPN 

• Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 100 V 

• Tensione base-collettore VCBO: 100 V 

• Tensione emettitore-base VEBO: 5 V 

• Tensione di saturazione collettore-emettitore: 1 V 

• Corrente CC massima collettore: 12 A 

• Pd - Potenza dissipata: 75 W 

• Prodotto guadagno-larghezza di banda fT: 3 MHz 

• Temperatura di lavoro minima: - 65 C 

• Temperatura di lavoro massima: + 150 C 

• Serie: BD711 

• Guadagno in corrente CC hFE max: 400 

• Marchio: STMicroelectronics 

• Corrente continua collettore: 12 A 

• Collettore DC/Guadagno base hfe Min: 40 

• Tipo di prodotto: BJTs - Transistor Bipolare 

• Peso unità: 6g

• Datasheet in allegato nella sezione "Supporto tencico"