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Descrizione
TRANSISTOR NPN BD711
Specifiche tecniche
• Produttore: STMicroelectronics
• Categoria prodotto: Transistor bipolari - BJT
• Stile di montaggio: Through Hole
• Package/involucro: TO-220-3
• Polarità transistor: NPN
• Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 100 V
• Tensione base-collettore VCBO: 100 V
• Tensione emettitore-base VEBO: 5 V
• Tensione di saturazione collettore-emettitore: 1 V
• Corrente CC massima collettore: 12 A
• Pd - Potenza dissipata: 75 W
• Prodotto guadagno-larghezza di banda fT: 3 MHz
• Temperatura di lavoro minima: - 65 C
• Temperatura di lavoro massima: + 150 C
• Serie: BD711
• Guadagno in corrente CC hFE max: 400
• Marchio: STMicroelectronics
• Corrente continua collettore: 12 A
• Collettore DC/Guadagno base hfe Min: 40
• Tipo di prodotto: BJTs - Transistor Bipolare
• Peso unità: 6g
• Datasheet in allegato nella sezione "Supporto tencico"
BD711_Datasheet
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